Die Peregrine Semiconductor Corporation, führender Hersteller hochleistungsfähiger HF-CMOS-ICs, kündigte ein exklusives Abkommen mit IBM zur Entwicklung und Produktion zukünftiger Generationen der durch Peregrine patentierten UltraCMOS-Silizium-auf-Saphir-Prozesstechnologie (SoS) an. Es handelt sich dabei um den leistungsfähigsten komplementären HF-Metalloxid-Halbleiterprozess (HF-CMOS). Sobald die Entwicklung der UltraCMOS-HF-ICs der nächsten Generation marktreif ist, soll die Produktion für Peregrine im gemeinsam entwickelten 180-Nanometer-Prozess in der 200-mm-Halbleiterfabrik bei IBM in Burlington, Vermont, aufgenommen werden.weiter lesen






